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Si7629DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.025
0.020
1
T J = 150 °C
0.015
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.010
0.005
0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
1
2 3 4 5 6 7 8
9
10
0.8
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
I D = 250 μA
I D = 1 mA
60
40
0
- 0.2
- 0.4
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 70556
S12-0679-Rev. C, 26-Mar-12
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